6英寸碳化硅激光垂直剥离机 

碳化硅晶锭激光垂直剥离项目是针对第三代半导体材料加工的核心技术攻关，旨在解决传统切割工艺效率低、损耗高的行业瓶颈。该项目聚焦激光剥离技术，通过超短脉冲激光在晶锭内部形成剥离层，结合外张力实现晶片高效分离。相比传统线切割（耗时100-150小时/片，损耗率40%-50%），激光技术可将加工时间缩短至30分钟/片，材料损耗降低至100μm以下，良率达95%以上，该技术可推动碳化硅衬底成本下降44%，加速其在新能源车、光伏等领域的应用普及。